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?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FYPF1010DN
Rev. B, November 2001
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Absolute Maximum Ratings
T
C=25°°°°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics (per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%
Symbol Parameter Value Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 100 V
VR
Maximum DC Reverse Voltage 100 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current @ TC
= 125
°C10 A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
100 A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature -40 to +150
°C
Symbol Parameter Value Units
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode) 4.0
°C/W
Symbol Parameter Value Units
VFM *
Maximum Instantaneous Forward Voltage
IF
= 5A
IF
= 5A
IF
= 10A
IF
= 10A
TC
= 25
°C
0.75
TC
= 125
°C
0.65
TC
= 25
°C
0.95
TC
= 125
°C
0.73
V
IRM *
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated VR
TC
= 25
°
C
1
TC
= 125
°C
30
mA
FYPF1010DN
Features
? Low forward voltage drop
? High frequency properties and switching speed
? Guard ring for over-voltage protection
Applications
? Switched mode power supply
? Freewheeling diodes
TO-220F
1 2 3
1. Anode 2.Cathode 3. Anode
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